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长鑫存储申请半导体专利,金属层顶表面更加平整

时间:2024-02-09 18:00来源: 作者:admin 点击: 68 次

金融界2024年1月2日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的处理方法以及字线结构的形成方法“,公开号CN117334633A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示,本公开实施例公开了一种半导体结构的处理方法以及字线结构的形成方法,其中,所述半导体结构的处...
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